SWIR LED
SWIR LED 1000–1650nm — DOWA InGaAs 베어 다이·SMD·어레이
DOWA Electronics는 세계 최대 SWIR LED 생산 능력을 보유한 기업입니다. 1000nm에서 1650nm 이상까지 — InGaAs 기반 SWIR LED는 유리·물·알코올·지질을 꿰뚫는 투과력으로 비침습 의료, 가스 센싱, 식품/농업 품질관리의 표준이 되고 있습니다.
SPECTRUM
1000 – 1650nm Short-Wave Infrared
DOWA InGaAs 기반 SWIR LED는 세계 최대 생산 능력과 46% 향상된 방사 출력을 자랑합니다. 유리·물·실리콘·알코올·지질을 투과하는 성질로 비침습 의료, 가스 센싱, 식품 품질관리의 표준이 되고 있습니다.
DOWA의 SWIR 데이터시트는 영업 비공개 자료이며, 모델 명시 후 영업일 기준 1일 이내 송부드립니다.
UV
Visible
IR
SWIR
MWIR
200nm1000nm3000nm5000nm+
FEATURES
주요 특징
46% 높은 방사 출력
1300nm 동일 조건에서 기존 베어다이 대비 46% 향상된 출력을 제공하는 SMD 패키지.
세계 최대 생산 능력
DOWA의 양산 인프라로 대량 수요에 안정 공급.
다양한 패키지
Bare Die, 3mm/5mm SMD, 다이 어레이 등 용도별 선택 가능.
전 파장 커버
1050 · 1200 · 1300 · 1460 · 1550 · 1650nm 등 수분·지질·혈당·CO 흡수대에 정확히 대응.
PRODUCT LINEUP
표준 베어 다이 (350×350 μm)
DOWA 공식 제품. 전 모델 InGaAs 기반 · @20mA 측정 기준 · R&D 사양은 변경될 수 있음
Standard bare chip — 350μm × 350μm
| Model | Peak λ | Po @20mA | Vf | Chip size | Application |
|---|---|---|---|---|---|
| SECSR | 1,040 nm | 11.0 mW | 1.3 V | 350×350 μm | Glucose · Alcohol · Water |
| SSCSR | 1,060 nm | 10.4 mW | 1.2 V | 350×350 μm | Healthcare sensing |
| SRCSR | 1,080 nm | 9.8 mW | 1.2 V | 350×350 μm | Healthcare sensing |
| SUCSR | 1,100 nm | 10.4 mW | 1.2 V | 350×350 μm | General SWIR |
| SVCSR | 1,140 nm | 8.0 mW | 1.2 V | 350×350 μm | Reference channel |
| E2RF2S | 1,200 nm | 5.2 mW | 1.0 V | 350×350 μm | Methane · CH₄ band |
| E3RF2S | 1,300 nm | 5.8 mW | 1.0 V | 350×350 μm | Si-transparent · wafer inspection |
| E3HF2S | 1,350 nm | 5.2 mW | 0.9 V | 350×350 μm | Glucose · alcohol |
| E4RF2S | 1,460 nm | 4.5 mW | 0.9 V | 350×350 μm | Water absorption peak |
| E5RF2S | 1,550 nm | 3.7 mW | 0.9 V | 350×350 μm | Lipid · CO₂ short band |
| E6RF2S | 1,650 nm | 2.8 mW | 0.8 V | 350×350 μm | CO · lipid |
| E7RF2S | 1,720 nm | 2.5 mW | 0.8 V | 350×350 μm | Extended SWIR |
| E9RF2S | 1,900 nm | 2.1 mW | 0.8 V | 350×350 μm | Extended SWIR |
HIGH POWER
대형 베어 다이 (1080×1080 μm)
고출력 응용을 위한 1.5A 정격 · 단일 다이로 100~575 mW 출력
Large bare chip — 1080μm × 1080μm @ 1.5A
| Model | Peak λ | Po @1.5A | Vf | Chip size | Application |
|---|---|---|---|---|---|
| SE09S | 1,040 nm | 575 mW | 1.5 V | 1080×1080 μm | High-power illumination |
| SS09S | 1,060 nm | 557 mW | 1.5 V | 1080×1080 μm | High-power illumination |
| SU09S | 1,100 nm | 543 mW | 1.5 V | 1080×1080 μm | Industrial inspection |
| E3RXBR | 1,300 nm | 230 mW | 1.3 V | 1080×1080 μm | Wafer inspection (high-power) |
| E4RXBR | 1,460 nm | 162 mW | 1.3 V | 1080×1080 μm | Moisture imaging |
| E5RXBR | 1,550 nm | 140 mW | 1.3 V | 1080×1080 μm | High-power lipid sensing |
| E6RXBR | 1,650 nm | 86 mW | 1.2 V | 1080×1080 μm | High-power CO/lipid |
* 추가 SMD 패키지(3mm/5mm), 어레이, 맞춤 본딩 가능 — 문의 시 데이터시트 송부.
APPLICATIONS
적용 분야
- Non-invasive glucose monitoring
- Alcohol sensors
- Gas sensors (CO, CO₂)
- Semiconductor wafer inspection
- Food & agriculture QC
- Anti-counterfeiting
- Biometric authentication
- Machine vision
파장 선택 기준
응용 분야별 SWIR LED 선택 기준
SWIR는 대상 물질의 흡수 파장에 맞춰 광원을 고르는 것이 핵심입니다. 아래는 DOWA SWIR LED 라인업 기준 대표 응용과 권장 파장입니다.
| 응용 분야 | 권장 파장 | 선택 이유 |
|---|---|---|
| 비침습 혈당 · 헬스케어 센싱 | 1,040 – 1,100 nm | 포도당·알코올·수분 흡수 대역. SECSR(1,040nm) 등 소형 칩과 고출력 SE09S(575mW) 모두 대응. |
| 반도체 웨이퍼 검사 | 1,300 nm | 실리콘이 투명해지는 대역이라 웨이퍼 후면·본딩 이물을 비파괴로 검사. 고출력은 E3RXBR(230mW). |
| 수분 측정 · 식품 QC | 1,460 nm | 물 흡수 피크. 과일 당도·곡물 수분 등 비파괴 측정에 사용. |
| 유지 · 지질 분석 | 1,550 nm | 지질과 CO₂ 약흡수 대역. 유제품·의료·통신 진단에 활용. |
| 가스 센서 (CO · 메탄) | 1,200 / 1,650 nm | 1,200nm은 메탄(CH₄), 1,650nm은 CO·지질 흡수 대역. |
| 확장 SWIR 응용 | 1,720 – 1,900 nm | E7RF2S·E9RF2S로 일반 SWIR 범위를 넘어서는 대역까지 대응. |
파장 선택이 어려우시면 SWIR 완벽 가이드에서 흡수 스펙트럼과 응용별 선택 기준을 확인하세요.
FAQ
자주 묻는 질문
Q.SWIR LED는 어떤 파장대를 커버하나요?+
DOWA SWIR LED는 1,040nm부터 1,900nm까지 커버합니다. 1,300nm(실리콘 투과·웨이퍼 검사), 1,460nm(수분 흡수), 1,550nm(지질) 등 대상 물질의 흡수 특성에 맞춰 파장을 선택합니다.
Q.반도체 웨이퍼 검사에는 어떤 파장이 맞나요?+
1,300nm에서 실리콘이 투명해지므로, 웨이퍼 후면 결함이나 본딩 이물을 비파괴로 검사할 수 있습니다 (E3RF2S 등).
Q.단일 다이 최대 출력과 재고·납기는 어떻게 되나요?+
InGaAs 기반 단일 다이 최대 575mW까지 제공합니다. 표준 파장 모델은 국내 재고를 보유하며 샘플은 3일 내 출고 가능합니다.
요구 사양에 맞는 SWIR LED를 제안드립니다
파장, 출력, 빔 각, 패키지 형태를 알려주시면 DOWA 데이터시트와 샘플을 함께 제공합니다.